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STB10N60M2 /MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
STB10N60M2的规格信息
STB10N60M2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:7.5 A

Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:13.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:85 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STB10N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:13.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32.5 ns

典型接通延迟时间:8.8 ns

单位重量:4 g

供应商STB10N60M2
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现代芯城（深圳）科技有限公司STB10N60M2www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STB10N60M2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
上海三崧电子有限公司STB10N60M2上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市河锋鑫科技有限公司STB10N60M2华强北都会轩26010755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司STB10N60M2 10N60M2深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司STB10N60M2深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市辉华拓展电子有限公司STB10N60M2深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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