STB100N6F7
/MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
STB100N6F7的规格信息
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:100 A
Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:30 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:125 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:STripFET
封装:Tube
系列:STB100N6F7
商标:STMicroelectronics
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:55.5 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:28.6 ns
典型接通延迟时间:21.6 ns
单位重量:4 g
STB100N6F7