SSM3K7002CFU,LF(T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.9Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道
SSM3K7002CFU,LF(T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)170mA
栅源极阈值电压2.1V @ 250uA
漏源导通电阻3.9Ω @ 100mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)150mW
类型N沟道
SSM3K7002CFU,LF(T
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SSM3K7002CFU,LF(T | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.9Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 205.13 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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 立创商城 | SSM3K7002CFU,LF(T | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.9Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 | 20+:¥0.182437 200+:¥0.134956 600+:¥0.126235 2000+:¥0.117514 10000+:¥0.113638 20000+:¥0.111723
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