产品培训模块:General Purpose Discrete Items
标准包装:8,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):630 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.23nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):46pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:VESM
其它名称:SSM3K36MFV (TL3,T)SSM3K36MFV(TL3,T)SSM3K36MFV(TL3T)TRSSM3K36MFV(TL3T)TR-NDSSM3K36MFV(TPL3)SSM3K36MFV(TPL3)TRSSM3K36MFV(TPL3)TR-NDSSM3K36MFV,L3F(BSSM3K36MFV,L3F(TSSM3K36MFVL3FTRSSM3K36MFVTL3T