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SSM3K7002CFU,LF /MOSFET Small-Signal MOSFET
SSM3K7002CFU,LF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-323-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:170 mA

Rds On-漏源导通电阻:3.9 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:0.27 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:700 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

系列:SSM3K7002

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Toshiba

下降时间:24 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7 ns

典型接通延迟时间:2 ns

单位重量:28 mg

供应商SSM3K7002CFU,LF
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SSM3K7002CFU,LF(T连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.9Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO205.13 Kbytes共8页SSM3K7002CFU,LF(T的PDF下载地址
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SSM3K7002CFU,LF(TTOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):170mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:3.9Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道20+:¥0.182437
200+:¥0.134956
600+:¥0.126235
2000+:¥0.117514
10000+:¥0.113638
20000+:¥0.111723