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SSM3K7002BSU,LF /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
SSM3K7002BSU,LF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品培训模块:Small Signal MOSFET General Purpose Discrete Items

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.1 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):17pF @ 25V

功率 - 最大值:150mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-70,SOT-323

供应商器件封装:USM

其它名称:SSM3K7002BFU(T5LFTRSSM3K7002BFU(T5LFTR-NDSSM3K7002BSULFSSM3K7002BSULFTR

供应商SSM3K7002BSU,LF
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SSM3K7002BSU,LFToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥0.37
6000+:¥0.32
15000+:¥0.27
30000+:¥0.26
75000+:¥0.24
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10+:¥0.92
100+:¥0.39
1000+:¥0.3
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SSM3K7002BSU,LFToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥0.37
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