FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：180mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9.5pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：3V
功率耗散（最大值）：150mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，4V
工作温度：150°C
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：VESM
封装/外壳：SOT-723
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs