SSM3K36MFV,L3APF(T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:630mΩ @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道
SSM3K36MFV,L3APF(T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)500mA
栅源极阈值电压1V @ 1mA
漏源导通电阻630mΩ @ 200mA,5V
最大功率耗散(Ta=25°C)150mW
类型N沟道
SSM3K36MFV,L3APF(T
SSM3K36MFV,L3APF(T及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SSM3K36MFV,L3APF(T | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:630mΩ @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 215.59 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
SSM3K36MFV,L3APF(T的全球分销商及价格
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 立创商城 | SSM3K36MFV,L3APF(T | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:630mΩ @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道 | 20+:¥0.149791 200+:¥0.110806 600+:¥0.103646 2000+:¥0.096486 10000+:¥0.093303 20000+:¥0.091731
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