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SSM3K36MFV,L3APF(T /连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:630mΩ @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道
SSM3K36MFV,L3APF(T的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)500mA

栅源极阈值电压1V @ 1mA

漏源导通电阻630mΩ @ 200mA,5V

最大功率耗散(Ta=25°C)150mW

类型N沟道

供应商SSM3K36MFV,L3APF(T
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集好芯城SSM3K36MFV,L3APF(T深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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SSM3K36MFV,L3APF(T连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:630mΩ @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO215.59 Kbytes共5页SSM3K36MFV,L3APF(T的PDF下载地址
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SSM3K36MFV,L3APF(TTOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:630mΩ @ 200mA,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道20+:¥0.149791
200+:¥0.110806
600+:¥0.103646
2000+:¥0.096486
10000+:¥0.093303
20000+:¥0.091731