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SSM3K318T(T5L,F,T) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品培训模块:Small Signal MOSFET

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):107 毫欧 @ 2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):235pF @ 30V

功率 - 最大值:700mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:TSM

其它名称:SSM3K318T(T5L,FT)TRSSM3K318TT5LFT

供应商SSM3K318T(T5L,F,T)
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