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SSM3K15F,LF /MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
SSM3K15F,LF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263MOD-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:SSM3K15F

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:25 mS

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:180 ns

典型接通延迟时间:50 ns

单位重量:12 mg

供应商SSM3K15F,LF
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