数据列表：SSM3K302T -

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：71毫欧 @ 2A，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：4.3nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：270pF @ 10V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：TSM

其它名称：SSM3K302T(TE85LF)TRSSM3K302TTE85LF