SSM3K121TU(TE85L)
/MOSFET Vds=20V Id=3.2A 3Pin
SSM3K121TU(TE85L)的规格信息
制造商:Toshiba
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:UFM-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:3.2 A
Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:800 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
高度:0.7 mm
长度:2 mm
产品:MOSFET Small Signal
系列:SSM3K121
晶体管类型:1 N-Channel
类型:Small Signal
宽度:1.7 mm
商标:Toshiba
正向跨导 - 最小值:13 S / 6.5 S
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
SSM3K121TU(TE85L)
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SSM3K121TU(TE85L) | MOSFET Vds=20V Id=3.2A 3Pin | Toshiba |  | 162.55 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
SSM3K121TU(TE85L)的全球分销商及价格
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