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SSM3K123TU,LF /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
SSM3K123TU,LF的规格信息
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产品培训模块:Small Signal MOSFET

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 3A,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.6nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1010pF @ 10V

功率 - 最大值:500mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:3-SMD,扁平引线

供应商器件封装:UFM

其它名称:SSM3K123TU (T5L,T)SSM3K123TU(T5L,T)SSM3K123TU(T5LT)TRSSM3K123TU(T5LT)TR-NDSSM3K123TU(TE85L)SSM3K123TU(TE85L)TRSSM3K123TU(TE85L)TR-NDSSM3K123TU,LF(TSSM3K123TULFTRSSM3K123TUT5LT

供应商SSM3K123TU,LF
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SSM3K123TU,LF连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:28mΩ @ 3A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO166.72 Kbytes共6页SSM3K123TU,LF的PDF下载地址
SSM3K123TU,LF(T功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, 表面安装TOSHIBATOSHIBA的LOGO166.72 Kbytes共6页SSM3K123TU,LF(T的PDF下载地址
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SSM3K123TU,LFToshibaMOSFET UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz1:¥4.1471
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SSM3K123TU,LFTOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 1mA 漏源导通电阻:28mΩ @ 3A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道1+:¥1.8
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