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SSM3K316T(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
SSM3K316T(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品培训模块:Small Signal MOSFET

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):53 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.3nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):270pF @ 10V

功率 - 最大值:700mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:TSM

其它名称:SSM3K316T(T5LFT)TRSSM3K316T(T5LFT)TR-NDSSM3K316T(TE85LF)TRSSM3K316TTE85LF

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