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SQS966ENW-T1_GE3 /MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
SQS966ENW-T1_GE3的规格信息
SQS966ENW-T1_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:6.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:27.8 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值:2.8 S

下降时间:4.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:7.9 ns

供应商SQS966ENW-T1_GE3
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Mouser 贸泽电子		SQS966ENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W1:¥7.0738
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.8081
1,000:¥3.0171
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