SQS944ENW-T1_GE3
/MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
SQS944ENW-T1_GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:6 A
Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:0.76 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:27.8 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:Reel
晶体管类型:2 N-Channel
商标:Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值:2.5 S
下降时间:7 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:2.2 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:15 ns
典型接通延迟时间:7.6 ns
SQS944ENW-T1_GE3
SQS944ENW-T1_GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | SQS944ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 40V | $0.94000 |
 Mouser 贸泽电子 | SQS944ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W | 1:¥6.9156 10:¥5.5935 100:¥4.2375 500:¥3.503 3,000:¥2.5425 6,000:查看
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