制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:0.76 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:27.8 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值:2.5 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2.2 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:7.6 ns