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SQS423ENW-T1_GE3 /MOSFET P-CH 30 V PPAK 1212-8W
SQS423ENW-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

零件状态有源

FET 类型P 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)16A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)21 毫欧 @ 12A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)26nC @ 4.5V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1975pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散(最大值)62.5W(Tc)

工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PowerPAK® 1212-8W

封装/外壳PowerPAK® 1212-8W

供应商SQS423ENW-T1_GE3
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