系列汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®
FET类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss)60V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)8A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)12nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)470pF @ 25V
Vgs(最大值)±20V
功率耗散(最大值)33W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)63 毫欧 @ 4.3A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK® 1212-8
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs