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SQS401EN-T1_BE3 /MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
SQS401EN-T1_BE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.2 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1875 pF @ 20 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)62.5W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackagePowerPAK® 1212-8

Package / CasePowerPAK® 1212-8

供应商SQS401EN-T1_BE3
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