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SQS850EN-T1_GE3 /MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
SQS850EN-T1_GE3的规格信息
SQS850EN-T1_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:41 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:33 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:33 S

下降时间:9.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:9 ns

供应商SQS850EN-T1_GE3
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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