系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：58A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：55nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2450pF @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：48W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：6.3 毫欧 @ 14A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：58A

漏源极导通电阻RDS(ON)：6.3mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：2V

Id-连续漏极电流：58A

Pd-功率耗散：48W

Qg-栅极电荷：55nC

Rds On-漏源导通电阻：5mOhms

Vds-漏源极击穿电压：40V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Vgs th-栅源极阈值电压：1.5V

上升时间：9ns

下降时间：8ns

典型关闭延迟时间：26ns

典型接通延迟时间：10ns

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：PowerPAK-SO-8L-4

晶体管极性：N-Channel

晶体管类型：1N-Channel

最大工作温度：+175C

最小工作温度：-55C

正向跨导 - 最小值：99S

系列：SQ

资格：AEC-Q101

通道数量：1Channel

通道模式：Enhancement

配置：Single

无铅情况/RoHs：否