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SQJ850EP-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQJ850EP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 10.3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1225pF @ 30V

功率 - 最大值:45W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

供应商SQJ850EP-T1-GE3
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17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯世界半导体有限公司SQJ850EP-T1-GE3深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824013267088774(微信同号)SamEmail:1039073151@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SQJ850EP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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深圳市高捷芯城科技有限公司SQJ850EP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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19854773352
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SQJ850EP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥5.171+:¥9.44
10+:¥7.59
100+:¥6.09
500+:¥6.09
1000+:¥5.6701
3000+:¥5.21
6000+:¥5.15
9000+:¥4.95
24000+:¥4.933000+:¥4.67011+:¥7.95
20+:¥7.88
150+:¥7.12
750+:¥5.8350+:¥14.29
250+:¥11.7099
1000+:¥11.13
2500+:¥10.621+:¥4.22
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1000+:¥5.6701
3000+:¥5.21
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10+:¥7.59
100+:¥6.09
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9000+:¥4.95
24000+:¥4.933000+:¥4.67011+:¥7.95
20+:¥7.88
150+:¥7.12
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500+:¥6.09
1000+:¥5.6701
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6000+:¥5.15
9000+:¥4.95
24000+:¥4.93
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SQJ850EP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥5.171+:¥9.44
10+:¥7.59
100+:¥6.09
500+:¥6.09
1000+:¥5.6701
3000+:¥5.21
6000+:¥5.15
9000+:¥4.95
24000+:¥4.933000+:¥4.67011+:¥7.95
20+:¥7.88
150+:¥7.12
750+:¥5.8350+:¥14.29
250+:¥11.7099
1000+:¥11.13
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