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SQJ858AEP-T1_BE3 /MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
SQJ858AEP-T1_BE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2450 pF @ 20 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)48W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackagePowerPAK® SO-8

Package / CasePowerPAK® SO-8

供应商SQJ858AEP-T1_BE3
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