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SQJ488EP-T1_GE3 /MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
SQJ488EP-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:42 A

Rds On-漏源导通电阻:17.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:27 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:28 S

下降时间:4.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:4 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SQJ488EP-T1_GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQJ488EP-T1_GE3www.nowchip.com0755-27381274
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SQJ488EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified1:¥12.2944
10:¥10.2152
100:¥7.91
500:¥6.9382
1,000:¥5.7517
3,000:¥5.7517