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SQJ840EP-T1_GE3 /MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified
SQJ840EP-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:38 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:46 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.13 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:38 S

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SQJ840EP-T1_GE3
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SQJ840EP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥4.781+:¥9.5201
10+:¥7.59
100+:¥5.8599
500+:¥5.1801
1000+:¥5.06
3000+:¥4.83
6000+:¥4.65
9000+:¥4.53
24000+:¥4.431+:¥6.12
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Mouser 贸泽电子
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10:¥10.3734
100:¥7.91
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1,000:¥5.4127
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10+:¥7.59
100+:¥5.8599
500+:¥5.1801
1000+:¥5.06
3000+:¥4.83
6000+:¥4.65
9000+:¥4.53
24000+:¥4.43