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SQJ476EP-T1_GE3 /MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQJ476EP-T1_GE3的规格信息
SQJ476EP-T1_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8L-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:23 A

Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.13 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:22 S

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:506.600 mg

供应商SQJ476EP-T1_GE3
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SQJ476EP-T1_GE3的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		SQJ476EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8$0.82000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SQJ476EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified1:¥6.8365
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