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SQ2398ES-T1_GE3 /MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ2398ES-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:1.6 A

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:2.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:3 S

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:7 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:8 mg

供应商SQ2398ES-T1_GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQ2398ES-T1_GE3www.nowchip.com0755-27381274
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13352985419
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深圳市辰芯伟业科技有限公司SQ2398ES-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市天卓伟业电子有限公司SQ2398ES-T1_GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市斌腾达科技有限公司SQ2398ES-T1_GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SQ2398ES-T1_GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市科思奇电子科技有限公司SQ2398ES-T1_GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SQ2398ES-T1_GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市芯奕科技有限公司SQ2398ES-T1_GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
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Digi-Key 得捷电子
SQ2398ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3$0.64000
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Mouser 贸泽电子
SQ2398ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified1:¥4.7686
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