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SQ2325ES-T1_GE3 /MOSFET P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
SQ2325ES-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:840 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:2.2 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:8 ns

单位重量:42 mg

供应商SQ2325ES-T1_GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQ2325ES-T1_GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SQ2325ES-T1_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司SQ2325ES-T1_GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市水星电子有限公司SQ2325ES-T1_GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市芯奕科技有限公司SQ2325ES-T1_GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SQ2325ES-T1_GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SQ2325ES-T1_GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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SQ2325ES-T1_GE3MOSFET P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 QualifiedVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO230.35 Kbytes共10页SQ2325ES-T1_GE3的PDF下载地址
SQ2325ES-T1_GE3MOSFET P-CH 150V 840MA TO236Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO191.46 Kbytes共9页SQ2325ES-T1_GE3的PDF下载地址
SQ2325ES-T1_GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):840mA(Tc) 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.77Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO246.61 Kbytes共11页SQ2325ES-T1_GE3的PDF下载地址
SQ2325ES-T1_GE3的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 840MA TO236$0.69000
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Mouser 贸泽电子
SQ2325ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified1:¥5.2206
10:¥3.9889
100:¥2.9606
500:¥2.4295
3,000:¥1.7176
6,000:查看
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SQ2325ES-T1_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):840mA(Tc) 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.77Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W(Tc) 类型:P沟道1+:¥4.79
10+:¥3.54
30+:¥3.31
100+:¥3.08
500+:¥2.97
1000+:¥2.92