• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
SQ2309ES-T1_GE3 /MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified
SQ2309ES-T1_GE3的规格信息
SQ2309ES-T1_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-236-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:1.7 A

Rds On-漏源导通电阻:268 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:8.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:1.8 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:5 ns

单位重量:12 mg

供应商SQ2309ES-T1_GE3
SQ2309ES-T1_GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市威雅利发展有限公司SQ2309ES-T1_GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SQ2309ES-T1_GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SQ2309ES-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
集好芯城SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市坤融电子有限公司SQ2309ES-T1_GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SQ2309ES-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783		廖小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市德鸿芯科技有限公司SQ2309ES-T1_GE3龙华新区民治樟坑东明大厦15399990331 18165780858陈梦，李丽skype:lili2269002025qq@hotmail.comEmail:13480623438@163.COM询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SQ2309ES-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SQ2309ES-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳和润天下电子科技有限公司SQ2309ES-T1_GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SQ2309ES-T1_GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SQ2309ES-T1_GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
SQ2309ES-T1_GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SQ2309ES-T1_GE3MOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 QualifiedVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO224.15 Kbytes共10页SQ2309ES-T1_GE3的PDF下载地址无
SQ2309ES-T1_GE3MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO202.14 Kbytes共9页SQ2309ES-T1_GE3的PDF下载地址无
SQ2309ES-T1_GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：336mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO222.89 Kbytes共10页SQ2309ES-T1_GE3的PDF下载地址无
SQ2309ES-T1_GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 1.7A TO236$0.58000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SQ2309ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V -1.7A 2W AEC-Q101 Qualified1:¥4.3844
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.5707
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SQ2309ES-T1_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：336mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W(Tc) 类型：P沟道1+:￥1.968
10+:￥1.432
30+:￥1.328
100+:￥1.232
500+:￥1.184
1000+:￥1.168
SQ2309ES-T1_GE3的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号