SQ2361AEES-T1_GE3
/MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ2361AEES-T1_GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:2.8 A
Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:10 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:2 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SQ
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:5 S
下降时间:4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:24 ns
典型接通延迟时间:9 ns
单位重量:8 mg
SQ2361AEES-T1_GE3
SQ2361AEES-T1_GE3的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | SQ2361AEES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified | 1:¥4.7686
10:¥3.6612
100:¥2.712
500:¥2.2261
3,000:¥1.5707
6,000:查看
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立创商城 | SQ2361AEES-T1_GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W(Tc) 类型：P沟道 | 1+:￥1.4988
10+:￥1.1294
30+:￥1.0615
100+:￥0.963889
500+:￥0.934595
1000+:￥0.920142
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