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SQ2315ES-T1-GE3 / MOSFET, P CH, W/D, 12V, 5A, SOT23
SQ2315ES-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

单位包:3000

最小起订量:3000

晶体管极性::P Channel

Continuous Drain Current Id::-5A

Drain Source Voltage Vds::-12V

On Resistance Rds(on)::0.034ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs::-4.5V

Threshold Voltage Vgs::-450mV

功耗::2W

Operating Temperature Min::-55°C

Operating Temperature Max::175°C

Transistor Case Style::TO-236

No. of Pins::3

MSL::MSL 1 - Unlimited

工作温度范围::-55°C to +175°C

Weight (kg):0.000008

Tariff No.:85412900

供应商SQ2315ES-T1-GE3
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SQ2315ES-T1-GE3SQ2315ES-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 3 A; 12 V; 3-Pin SOT-23Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO279.18 Kbytes共11页SQ2315ES-T1-GE3的PDF下载地址
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