SQ2319ADS-T1_GE3
/MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ2319ADS-T1_GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:4.6 A
Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:10.5 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.45 mm
长度:2.9 mm
系列:SQ
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:1.6 mm
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:8 S
下降时间:17 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:18 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:17 ns
典型接通延迟时间:4 ns
单位重量:8 mg
SQ2319ADS-T1_GE3