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SQ2308CES-T1_GE3 /MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
SQ2308CES-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.3 A

Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:5.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:5.5 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:4 ns

单位重量:8 mg

供应商SQ2308CES-T1_GE3
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深圳市辉华拓展电子有限公司SQ2308CES-T1_GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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SQ2308CES-T1_GE3MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 QualifiedVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO267.33 Kbytes共10页SQ2308CES-T1_GE3的PDF下载地址
SQ2308CES-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO215.17 Kbytes共9页SQ2308CES-T1_GE3的PDF下载地址
SQ2308CES-T1_GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W(Tc) 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO283.58 Kbytes共11页SQ2308CES-T1_GE3的PDF下载地址
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SQ2308CES-T1-GE3Vishay3000+:¥1.34991+:¥3.25
10+:¥2.44
100+:¥1.81
500+:¥1.53
1000+:¥1.3499
3000+:¥1.29
6000+:¥1.29
9000+:¥1.19
24000+:¥1.16013000+:¥1.36
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SQ2308CES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23$0.58000
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SQ2308CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified1:¥4.8364
10:¥3.7064
100:¥2.7459
500:¥2.26
3,000:¥1.5933
6,000:查看
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Mouser 贸泽电子
SQ2308CES-T1-GE3Vishay3000+:¥1.34991+:¥3.25
10+:¥2.44
100+:¥1.81
500+:¥1.53
1000+:¥1.3499
3000+:¥1.29
6000+:¥1.29
9000+:¥1.19
24000+:¥1.1601
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SQ2308CES-T1_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:150mΩ @ 2.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.9921
10+:¥1.5089
30+:¥1.4201
100+:¥1.291361
500+:¥1.253143
1000+:¥1.234228