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SQ2301ES-T1-GE3 /Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2301ES-T1-GE3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
SQ2301ES-T1-GE3的规格信息
SQ2301ES-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：P

最大连续漏极电流：2.2 A

最大漏源电压：20 V

最大漏源电阻值：180 m0hms

最小栅阈值电压：0.45V

最大栅源电压：-8 V、+8 V

封装类型：SOT-23

安装类型：表面贴装

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

最大功率耗散：3 W

典型接通延迟时间：15 ns

典型关断延迟时间：30 ns

典型输入电容值@Vds：340 pF @ -10 V

典型栅极电荷@Vgs：5 nC @ 4.5 V

晶体管材料：Si

系列：SQ Rugged

每片芯片元件数目：1

宽度：1.4mm

高度：1.02mm

最高工作温度：+175 °C

长度：3.04mm

尺寸：3.04 x 1.4 x 1.02mm

最低工作温度：-55 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SQ2301ES-T1-GE3
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