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SIS413DN-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3的规格信息
SIS413DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:9.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:73 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SIS

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:50 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns, 82 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns, 45 ns

典型接通延迟时间:11 ns, 55 ns

供应商SIS413DN-T1-GE3
SIS413DN-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SIS413DN-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIS413DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIS413DN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIS413DN-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SIS413DN-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiS413DN-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIS413DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
SIS413DN-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SIS413DN-T1-GE3MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO543.32 Kbytes共13页SIS413DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS413DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO540.53 Kbytes共13页SIS413DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS413DN-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9.4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO542.22 Kbytes共13页SIS413DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS413DN-T1-GE3-30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-IIISiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO540.53 Kbytes共13页SIS413DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS413DN-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SIS413DN-T1-GE3Siliconix / Vishay-30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III+3000:$0.99
+150000:$0.98
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIS413DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III3000+:￥1.58
6000+:￥1.47
15000+:￥1.42
30000+:￥1.36
75000+:￥1.34
150000+:￥1.311+:￥3.42
10+:￥2.7
100+:￥2.05
500+:￥1.74
1000+:￥1.62
3000+:￥1.62
6000+:￥1.4801
9000+:￥1.47
24000+:￥1.421+:￥1.77
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIS413DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8$0.62000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIS413DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III3000+:￥1.58
6000+:￥1.47
15000+:￥1.42
30000+:￥1.36
75000+:￥1.34
150000+:￥1.31
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIS413DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIS413DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III3000+:￥1.58
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15000+:￥1.42
30000+:￥1.36
75000+:￥1.34
150000+:￥1.311+:￥3.42
10+:￥2.7
100+:￥2.05
500+:￥1.74
1000+:￥1.62
3000+:￥1.62
6000+:￥1.4801
9000+:￥1.47
24000+:￥1.42
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIS413DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9.4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：P沟道1+:￥1.99
10+:￥1.47
30+:￥1.37
100+:￥1.27
500+:￥1.23
1000+:￥1.21
SIS413DN-T1-GE3的相关型号
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