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SIHW30N60E-GE3 /MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
SIHW30N60E-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:29 A

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:85 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

高度:20.82 mm

长度:15.87 mm

系列:E

宽度:5.31 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:36 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:32 ns

工厂包装数量:480

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:63 ns

典型接通延迟时间:19 ns

单位重量:38 g

供应商SIHW30N60E-GE3
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深圳市坤融电子有限公司SIHW30N60E-GE3航都大厦10I0755-23990975
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
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芯莱德电子(香港)有限公司SIHW30N60E-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIHW30N60E-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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”13725596657“17503034873
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深圳市忠鑫高科技有限公司SIHW30N60E-GE3深南中路华强佳和大厦B座101983047652
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Arrow(艾睿)
SIHW30N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS1+:¥46.84
25+:¥37.65
100+:¥34.29
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500+:¥27.77
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Digi-Key 得捷电子
SIHW30N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 29A TO247AD$6.70000
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
SIHW30N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS1:¥49.4827
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250:¥32.657
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Mouser 贸泽电子
SIHW30N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS1+:¥46.84
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