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SIHU7N60E-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
SIHU7N60E-GE3的规格信息
SIHU7N60E-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:609 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:E

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:75

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:330 mg

供应商SIHU7N60E-GE3
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芯莱德电子(香港)有限公司SIHU7N60E-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIHU7N60E-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIHU7N60E-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHU7N60E-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SIHU7N60E-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIHU7N60E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SIHU7N60E-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市铭科源电子有限公司SIHU7N60E-GE3深圳市新华强电子世界Q3B0370755-82503204
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深圳市凌特半导体科技有限公司SIHU7N60E-GE3广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市星宇佳科技有限公司SIHU7N60E-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市微碧半导体有限公司SIHU7N60E-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市惊羽科技有限公司SIHU7N60E-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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Arrow(艾睿)
SIHU7N60E-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS1+:¥14.98
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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