制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:8.7 A

Rds On-漏源导通电阻:850 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:15 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.49 mm

长度:10.41 mm

系列:D

宽度:4.7 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:13 ns

零件号别名:SIHP8N50D-GE3

单位重量:6 g