制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:620 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:6.22 mm

长度:6.73 mm

系列:E

宽度:2.39 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:75

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:330 mg