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SIHU5N50D-E3 /MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
SIHU5N50D-E3的规格信息
SIHU5N50D-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:5.3 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:D

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:75

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SIHU5N50D-GE3

单位重量:330 mg

供应商SIHU5N50D-E3
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深圳市坤融电子有限公司SIHU5N50D-E3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHU5N50D-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市斌腾达科技有限公司SIHU5N50D-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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SiHU5N50D-E3D Series Power MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO187.26 Kbytes共8页SiHU5N50D-E3的PDF下载地址
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SIHU5N50D-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA$0.54470
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SIHU5N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)3,000:¥3.8081
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