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SIHU3N50D-GE3 /MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
SIHU3N50D-GE3的规格信息
SIHU3N50D-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:3.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:69 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:D

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:75

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SIHU3N50D-E3

单位重量:330 mg

供应商SIHU3N50D-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIHU3N50D-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SIHU3N50D-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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SiHU3N50D-GE3D Series Power MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO187.34 Kbytes共8页SiHU3N50D-GE3的PDF下载地址
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SIHU3N50D-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SIHU3N50D-GE3Vishay半导体 MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥2.641+:¥5.22
10+:¥4.21
100+:¥3.23
500+:¥2.85
1000+:¥2.79
3000+:¥2.66
6000+:¥2.56
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24000+:¥2.179950+:¥7.66
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1000+:¥5.97
3000+:¥5.68991+:¥2.72
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Digi-Key 得捷电子
SIHU3N50D-GE3Vishay半导体 MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥2.64
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element14 e络盟电子
SIHU3N50D-GE3Vishay半导体 MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥2.641+:¥5.22
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Mouser 贸泽电子
SIHU3N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)1:¥7.1416
10:¥5.6952
100:¥4.3166
500:¥3.5708
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Mouser 贸泽电子
SIHU3N50D-GE3Vishay半导体 MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥2.641+:¥5.22
10+:¥4.21
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3000+:¥2.66
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RS(欧时)
SIHU3N50D-GE3Vishay半导体 MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V FET - 单 - 分立半导体产品3000+:¥2.641+:¥5.22
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1000+:¥5.97
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立创商城
SIHU3N50D-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥7.15
200+:¥2.77
500+:¥2.67
1000+:¥2.63