图像仅供参考，请参阅规格书
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:40 A
Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:189 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:313 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
系列:EF
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:13 S
下降时间:67 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:63 ns
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:143 ns
典型接通延迟时间:35 ns