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SIHP17N60D-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
SIHP17N60D-GE3的规格信息
SIHP17N60D-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:17 A

Rds On-漏源导通电阻:340 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:277.8 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:D

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:56 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:37 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:6 g

供应商SIHP17N60D-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIHP17N60D-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIHP17N60D-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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SIHP17N60D-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SIHP17N60D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥12.111+:￥19.3
10+:￥15.49
100+:￥14.16
250+:￥12.84
500+:￥12.84
1000+:￥12.25
2000+:￥11.79
5000+:￥11.44
10000+:￥11.18011+:￥12.47
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Digi-Key 得捷电子		SIHP17N60D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥12.11
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Digi-Key 得捷电子		SIHP17N60D-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 17A TO220AB$1.83260
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Mouser 贸泽电子		SIHP17N60D-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB1,000:¥12.7577
3,000:¥12.1362
5,000:¥11.6842
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Mouser 贸泽电子		SIHP17N60D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥12.111+:￥19.3
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100+:￥14.16
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500+:￥12.84
1000+:￥12.25
2000+:￥11.79
5000+:￥11.44
10000+:￥11.1801
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