通道类型：N

最大连续漏极电流：50 A

最大漏源电压：60 V

最大漏源电阻值：0.039 0hms

最小栅阈值电压：1V

最大栅源电压：-10 V、+10 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

安装类型：表面贴装

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：150 W

每片芯片元件数目：1

典型接通延迟时间：17 ns

典型关断延迟时间：42 ns

典型输入电容值@Vds：3300 pF@ 25 V

典型栅极电荷@Vgs：66 nC @ 5 V

最高工作温度：+175 °C

最低工作温度：-55 °C

晶体管材料：Si

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs