通道类型：N

最大连续漏极电流：7.7 A

最大漏源电压：100 V

最大漏源电阻值：380 m0hms

最小栅阈值电压：1V

最大栅源电压：-10 V、+10 V

封装类型：DPAK (TO-252)

安装类型：表面贴装

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：42 W

高度：2.38mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：6.73 x 6.22 x 2.38mm

最高工作温度：+150 °C

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：12 nC @ 5 V

典型输入电容值@Vds：490 pF@ 25 V

典型关断延迟时间：21 ns

典型接通延迟时间：9.8 ns

最低工作温度：-55 °C

长度：6.73mm

宽度：6.22mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs