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SIHP10N40D-GE3 /MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
SIHP10N40D-GE3的规格信息
SIHP10N40D-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:400 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:15 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:147 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Tube

高度:15.49 mm

长度:10.41 mm

系列:E

宽度:4.7 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:6 g

供应商SIHP10N40D-GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SIHP10N40D-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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SIHP10N40D-GE3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SIHP10N40D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥6.111+:￥8.45
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Digi-Key 得捷电子		SIHP10N40D-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 10A TO220AB$1.51000
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Mouser 贸泽电子		SIHP10N40D-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB1:¥11.2209
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