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SIHP12N60E-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
SIHP12N60E-GE3的规格信息
SIHP12N60E-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:147 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:E

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:6 g

供应商SIHP12N60E-GE3
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深圳市坤融电子有限公司SIHP12N60E-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
万三科技（深圳）有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIHP12N60E-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIHP12N60E-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SIHP12N60E-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIHP12N60E-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
集好芯城SIHP12N60E-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIHP12N60E-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市铭科源电子有限公司SIHP12N60E-GE3深圳市新华强电子世界Q3B0370755-82503204
13670017571		郭Email:872850802@qq.com询价
SIHP12N60E-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SIHP12N60E-GE3MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220ABVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO291.57 Kbytes共8页SIHP12N60E-GE3的PDF下载地址无
SIHP12N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 12A TO220ABVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO165.47 Kbytes共8页SIHP12N60E-GE3的PDF下载地址无
SIHP12N60E-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO288.37 Kbytes共8页SIHP12N60E-GE3的PDF下载地址无
SIHP12N60E-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIHP12N60E-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS FET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥9.18011+:￥15.65
10+:￥12.59
100+:￥10.1
500+:￥10.1
1000+:￥9.36
2000+:￥8.59
5000+:￥8.51
10000+:￥8.13
25000+:￥8.131+:￥7.6450+:￥22.01
250+:￥18.02
1000+:￥17.12
5000+:￥16.341+:￥9.08
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIHP12N60E-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS FET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥9.1801
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIHP12N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 12A TO220AB$2.82000
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SIHP12N60E-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS FET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥9.18011+:￥15.65
10+:￥12.59
100+:￥10.1
500+:￥10.1
1000+:￥9.36
2000+:￥8.59
5000+:￥8.51
10000+:￥8.13
25000+:￥8.131+:￥7.64
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIHP12N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB1:¥20.7468
10:¥17.2099
100:¥13.3679
500:¥11.6842
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIHP12N60E-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS FET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥9.18011+:￥15.65
10+:￥12.59
100+:￥10.1
500+:￥10.1
1000+:￥9.36
2000+:￥8.59
5000+:￥8.51
10000+:￥8.13
25000+:￥8.13
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		SIHP12N60E-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS FET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥9.18011+:￥15.65
10+:￥12.59
100+:￥10.1
500+:￥10.1
1000+:￥9.36
2000+:￥8.59
5000+:￥8.51
10000+:￥8.13
25000+:￥8.131+:￥7.6450+:￥22.01
250+:￥18.02
1000+:￥17.12
5000+:￥16.34
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIHP12N60E-GE3Vishay半导体 MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS FET - 单 - 分立半导体产品1000+:￥9.18011+:￥15.65
10+:￥12.59
100+:￥10.1
500+:￥10.1
1000+:￥9.36
2000+:￥8.59
5000+:￥8.51
10000+:￥8.13
25000+:￥8.131+:￥7.6450+:￥22.01
250+:￥18.02
1000+:￥17.12
5000+:￥16.341+:￥9.081+:￥8.51
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIHP12N60E-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道1+:￥18.42
10+:￥17.93
30+:￥17.59
100+:￥17.26
SIHP12N60E-GE3的相关型号
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