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SIHP14N50D-GE3 / MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
SIHP14N50D-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

单位包:1000

最小起订量:1000

FET特点:Standard

封装:Tube

安装类型:Through Hole

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:14A (Tc)

的Vgs(th ) (最大)@ Id:5V @ 250µA

漏极至源极电压(Vdss):500V

标准包装:1,000

供应商设备封装:TO-220AB

开态Rds(最大)@ Id ,V GS:400 mOhm @ 7A, 10V

FET型:MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大:208W

封装/外壳:TO-220-3

输入电容(Ciss ) @ VDS:1144pF @ 100V

闸电荷(Qg ) @ VGS:58nC @ 10V

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

晶体管极性::N Channel

Continuous Drain Current Id::14A

Drain Source Voltage Vds::500V

On Resistance Rds(on)::0.32ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs::10V

Threshold Voltage Vgs::3V

功耗::208W

Operating Temperature Min::-55°C

Operating Temperature Max::150°C

Transistor Case Style::TO-220AB

No. of Pins::3

MSL::-

工作温度范围::-55°C to +150°C

Weight (kg):0.002

Tariff No.:85412900

供应商SIHP14N50D-GE3
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SIHP14N50D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥10.021+:¥17.14
10+:¥13.75
100+:¥11.02
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SIHP14N50D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥10.02
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SIHP14N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB1:¥22.6678
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SIHP14N50D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品1000+:¥10.021+:¥17.14
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250+:¥20.98
1000+:¥19.95
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