通道类型N

最大连续漏极电流5.6 A

最大漏源电压100 V

最大漏源电阻值0.76 0hms

最小栅阈值电压1V

最大栅源电压-10 V、+10 V

封装类型D2PAK (TO-263)

安装类型表面贴装

晶体管配置单

引脚数目3

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散43 W

每片芯片元件数目1

尺寸10.67 x 9.65 x 4.83mm

最高工作温度+175 °C

晶体管材料Si

最低工作温度-55 °C

典型输入电容值@Vds250 pF@ 25 V

典型关断延迟时间16 ns

典型接通延迟时间9.3 ns

宽度9.65mm

长度10.67mm

高度4.83mm

典型栅极电荷@Vgs6.1 nC @ 5 V

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs