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SIA923AEDJ-T1-GE3 /MOSFET -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH
SIA923AEDJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC70-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:44 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:7.8 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.75 mm

长度:2.05 mm

系列:SIA

晶体管类型:2 P-Channel

宽度:2.05 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:11 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:28 mg

供应商SIA923AEDJ-T1-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIA923AEDJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIA923AEDJ-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIA923AEDJ-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
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深圳市惊羽科技有限公司SIA923AEDJ-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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SIA923AEDJ-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：54mΩ @ 3.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.8W 类型：双P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO353.89 Kbytes共9页SIA923AEDJ-T1-GE3的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		SIA923AEDJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH3000+:￥1.59
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Digi-Key 得捷电子		SIA923AEDJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH3000+:￥1.59
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Mouser 贸泽电子		SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH1:¥5.2206
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIA923AEDJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH3000+:￥1.59
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立创商城		SIA923AEDJ-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：54mΩ @ 3.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7.8W 类型：双P沟道1+:￥3.79
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